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产品利用

Product Applications

氮化镓单晶衬底在射频电子领域的利用

  • 基于GaN资料的射频器件,,拥有高功率、、、高效能、、、耐高温、、、抗辐照等优势,,是迄今最梦想的半导体射频电子器件。
  • 基于氮化镓单晶衬底的HEMT器件,,为同时实现高频率、、、宽频谱、、、高效能、、、高功率密度、、、高靠得住性提供解决规划。
  • 半绝缘氮化镓,,Fe掺杂,,C掺杂
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