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典型GaN射频器件的工艺流程

2022-09-26

典型GaN射频器件的工艺流程

典型的GaN射频器件的加工工艺重要蕴含如下环节：：外延成长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。。

氮化镓X波段氮化镓放大器和阻塞转换器的新进展

2022-09-26

氮化镓X波段氮化镓放大器和阻塞转换器的新进展

英国高机能微波功率放大器公司Diamond Microwave近日颁发推出一系列小型微波GaN基脉冲固态功率放大器（SSPA），蕴含200W和400WX波段SSPA，以及即将增长的1kW C波段放大器的设计和1kW X波段放大器。。

【显示资讯DisplayTimes】韩国KAIST研发软性垂直Micro LED 可用于刺激、、活化脑部并节制行为

2022-09-26

【显示资讯DisplayTimes】韩国KAIST研发软性垂直Micro LED 可用于刺激、、活化脑部并节制行为

韩国粹术团队研发出软性垂直Micro LED技术，可置入动物脑部，利用灯光节制行动，合用于脑部钻研等生物医疗领域，也可用于智能型手机、、行动装置显示器、、穿戴式照明产品，技术已达量产水平。。

氮化镓|美国空军钻研尝试室钻研出柔性氮化镓成长新步骤，对射频器件意思重大

2022-09-26

氮化镓|美国空军钻研尝试室钻研出柔性氮化镓成长新步骤，对射频器件意思重大

美国空军钻研尝试室（AFRL）颁发已经发现一种新的成长和转移氮化镓（GaN）步骤，为将来第五代、、高速、、矫捷的通讯系统奠定了基础。。

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